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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SOT-23-3
晶体管极性：N沟道
MOSFET通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：25 V
Id-连续直流电流：5.8 A
Rds上漏源导通电阻：41毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：5.4 nC
Pd-功率耗散：1.25 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.1毫米
长度：2.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：1.3毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFML8244TRPBF SP001566992
单位重量：8毫克
应用程序
负载/系统切换
特征
低RDS（on）（24m）
行业标准的引脚排列
与现有的表面贴装技术兼容
符合RoHS标准，不含铅，溴化物和卤素
MSL1，消费者资格
好处
降低开关损耗
多厂商兼容性
易于制造
环保的
可靠性更高
额定值
|
Symbol |
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain-Source Voltage |
25 |
V |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
5.8 |
A |
|
ID @ TA = 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
4.6 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current |
24 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
1.25 |
W |
|
PD @TA = 70°C |
Maximum Power Dissipation |
0.80 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
0.01 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
Symbol |
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient @ |
––– |
100 |
°C/W |
|
RqJA |
Junction-to-Ambient (t<10s) ® |
––– |
99 |
|
VDS |
25 |
V |
|
VGS Max |
± 20 |
V |
|
RDS(on) max (@VGS = 10V) |
24 |
mW |
|
RDS(on) max (@VGS = 4.5V) |
41 |
mW |